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反铁磁绝缘体和重金属界面存在较大的功函数差值，实质隧道施工在界面形成内建电场，从而改变自旋流的自旋极化方向。因此，性突当电流绝对值超过临界电流时，随着电流方向的改变，反常霍尔电阻回线中心不再重合，因而发生左右相互偏移的现象。
由于不同的反铁磁界面状态对界面处自旋流的反射效率有所不同，破济使得MgO和STO衬底上的器件在零场下磁矩翻转的比率不同。课题组常年招收博士研究生以及博士后，南黄感兴趣的同学可电子邮件联系徐晓光教授（[email protected]）岗路例如：引入交换偏置场代替外磁场辅助翻转。
穿黄图文解析图1：NiO薄膜在不同衬底上的结构及形貌。香港理工大学应用物理系杨明助理教授课题组主要利用高通量第一性原理与机器学习加速功能材料研发并结合实验揭示相应的机理，幅地目前主要的研究体系包括催化材料、幅地二维材料、复杂氧化物界面等，具体见研究组主页（polyuyang.net）。
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